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ISG6133TJ 是英諾賽科推出的一款與硅 MOSFET 兼容的 700V 固態(tài) GaN 功率 IC。 這款芯片巧妙地將 700V 增強型氮化鎵 (GaN) FET 與內(nèi)置的柵極鉗位和 DESAT 保護功能集成在傳統(tǒng)的 TO220 FullPAK 封裝中，為電力電子領域樹立了性能、易用性和可靠性的新標準。 

ISG6133TJ 具有 140mΩ 的 E 型 GaN，連續(xù)耐壓 700V，脈沖耐壓高達 750V。 它支持 8V 至 20V 的寬柵極輸入電壓范圍，并允許用戶通過外部柵極電阻調(diào)節(jié)開啟和關(guān)閉回轉(zhuǎn)速率，從而優(yōu)化效率和 EMI 性能。 ISG6133TJ 的設計旨在作為硅 MOSFET 的直接替代品，可以直接使用現(xiàn)有的硅 MOSFET 控制器和驅(qū)動器，極大地簡化了設計和應用。 它具有零反向恢復電荷的優(yōu)點，并內(nèi)置 DESAT 功能提供短路保護，增強了器件的魯棒性和系統(tǒng)安全性。 ISG6133TJ 提供 TO220 FullPAK 封裝選項，方便工程師進行布局和散熱設計。 

ISG6133TJ 的應用市場廣泛，包括 Boost PFC、QR 反激、AHB 和 LLC 等電源拓撲結(jié)構(gòu)，適用于 AC-DC 電源適配器、LED 照明、電視電源和家電電源等多種應用。 高集成度和對現(xiàn)有硅基方案的兼容性使得 ISG6133TJ 成為升級現(xiàn)有電源設計的理想選擇，有助于提高效率、減小尺寸并簡化系統(tǒng)設計。

ISG6133TJ_Datasheet_Rev_1.0.pdf